薄膜体声谐振器

随着薄膜和微纳制造技术的发展，电子器件正朝着小型化，高密度多路复用，高频率和低功耗的方向快速发展。

近年来开发的薄膜体声波谐振器（FBAR）使用先进的谐振技术，该技术通过压电薄膜的逆压电效应将电能转换为声波，以形成谐振。

这种谐振技术可用于制造薄膜频率成形装置，薄膜​​体声波谐振器（FBAR）声波装置等先进部件，具有体积小，成本低，品质因数高（Q），高功率承载能力，高频率（高达1-10 GHz）和IC技术兼容性和其他功能，适用于工作频率为1-10 GHz的RF系统应用，有望在未来的无线通信系统中取代传统的表面声波（SAW）设备和微波陶瓷，因此，新一代无线通信系统和超级微量生化检测领域具有广阔的应用前景。

早在1965年，纽厄尔制造了布拉格反射薄膜谐振器。

1967年，制造了CdS薄膜谐振器。

1980年，通过在Si芯片上生长znO，制造出谐振频率为500MHz，Q值为9000的薄膜谐振器。

目前，世界上的体声波谐振器技术正在迅速发展。

具有小型化，优异性能和VLSI工艺兼容性的体声波谐振器及其滤波器已成为当今国际研究的热点，并出现了许多具有代表性的研究成果。

其中，MIT微系统实验室用由AlN作为压电材料制成的体声波谐振器表示。

1997年，他们利用硅蚀刻技术和键合技术构建了一个悬浮压电薄膜的密封腔，得到了一个中心频率为1.35 GHz，Q值为540，Keff为6.4的薄膜体声波。

插入损耗为3 dB。

谐振器。

1998年，他们使用布拉格反射层技术获得了频率为1.8 GHz，带宽为3.6 Ao（即25 MHz）的体声波谐振器，Q值为400 PB Kirby等于体声波滤波器开发的2000年使用PZT作为压力。

电子材料的频率为1.6GHz，Q值为53，Kt为19.1％，带宽为100MHz，插入损耗为3dB。

2001年，由AINFBAR制造的安捷伦科技公司的双工器现在可以以大约1.9 GHz的频率出售，Q为2500，Kt为6.5，插入损耗小于3 dB。

韩国的K.W. Kim等人。

2002年为2GHz频段开发了AlNTFBAR，Q为577.18，Kt为4.3，带宽为52MHz，插入损耗为2到3dB。

2003年，日本的Motoaki Hara和其他人在Transducer0上发表了关于AINTFBAR的研究。

谐振器的基本模式为2GHz，Q值为780，Keff为5.36。

2003年，韩国LG公司获得AINTFBAR，中心频率约为1.9GHz，Q值为1530，Keff为6.8-7.3，插入损耗为0.45dB。

隔离度为28dB。

2004年，韩国科学技术研究院微系统研究中心在超薄硅基板（50μm）上制作了薄膜体声谐振器，中心频率为2.5GHz，具有良好的灵活性，易于集成与MMIC通过MEMS工艺。

减少设备损耗。

2005年，富士通实验室有限公司使用由A1N薄膜制成的TFBAR。

中心频率达到10.3 GHz，Q值为508，插入损耗仅为1dB。