500V-950V N-沟道功率MOSFET参数及应用解析

P-通道功率金属氧化物半导体场效应晶体管（P-通道功率MOSFET）是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电力电子设备中。它通过控制电压...

在现代电子设备中，小信号和小功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）扮演着至关重要的角色。它们广泛应用于信号放大、开关控...

在现代汽车电子系统中，小信号和小功率MOSFET扮演着至关重要的角色。这些器件不仅需要具备高效率、低损耗的特点，还需要能够承受恶...

N-Channel Depletion MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种在电子电路设计中广泛应用的器件。它主要通过控制栅极电压来调节漏极和...

双MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种重要的电子器件，在现代电子设备中有着广泛的应用。它们的工作原理基于半导体材料...

在当今电力电子领域，碳化硅（Silicon Carbide, SiC）材料因其卓越的电气特性而备受关注。与传统的硅基器件相比，碳化硅MOSFET在高温、高频...

在当今电力电子领域，碳化硅（Silicon Carbide, SiC）材料因其优异的物理特性而备受关注。与传统的硅基器件相比，碳化硅器件展现出更低...

在电力电子领域中，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）单管因其高效、高速和高电压承受能力而被广泛应用。选择合适的IGBT单管对于确保电力转...

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块是一种高效能的电力电子器件，广泛应用于各种电力转换系统中。它结合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导...

在电力电子领域，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为一种高效能的开关器件，其性能直接影响到整个系统的效率和稳定性。IGBT裸片作为IGBT...

在现代汽车技术中，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为功率半导体器件的一种，其重要性日益凸显。IGBT因其高效、可靠的特性，在汽车电子...

在现代汽车工业中，电力电子技术扮演着越来越重要的角色，尤其是在新能源汽车领域。IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和CoolSiC MOSFET（碳化...

在电力电子技术领域，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种非常重要的半导体器件，广泛应用于工业控制、电力系统、电动汽车以及家用电...

在现代汽车电子系统中，低边开关是不可或缺的一部分，尤其是在12V电气系统中。HITFET™是英飞凌科技推出的一种集成式低边开关解决方...

在现代汽车电子系统和工业控制设备中，低边开关的应用非常广泛。HITFET™是一种专为低边开关设计的集成解决方案，尤其适用于24V电气...

在现代汽车电子系统中，低边开关扮演着至关重要的角色，尤其是在控制电机、照明和其他负载方面。HITFET™12V低边开关作为一款高效能...

在电力电子领域，低边开关是控制电路中不可或缺的一部分，特别是在汽车电子、工业自动化和消费电子等领域。HITFET™24V低边开关作为...

在现代汽车电子系统中，温度管理是一个至关重要的环节，它直接影响到车辆的安全性、可靠性和性能。针对这一需求，TEMPFET™作为一种...

在现代电力电子系统中，低边开关扮演着至关重要的角色，尤其是在汽车、工业自动化以及家用电器等领域。英飞凌（Infineon）作为全球...

Power PROFET™+12/24/48V 是一种专为汽车设计的智能高端开关解决方案，旨在提供高效、可靠的电力分配和保护。这种先进的开关系统可以适应...