
随着电力电子技术的快速发展,Power MOSFET(功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管)已成为现代电源管理、工业控制和新能源系统中的核心元件。ON Semiconductor作为全球领先的半导体制造商,在Power MOSFET领域持续投入研发,推出了一系列高性能、高可靠性产品,广泛应用于电动汽车、数据中心、可再生能源逆变器等关键场景。
ON Semiconductor的Power MOSFET采用先进的沟槽栅(Trench Gate)结构与优化的外延层工艺,显著降低了导通电阻(Rds(on)),从而减少了能量损耗。例如,其NexFET™系列器件在相同封装下实现了更低的热阻和更高的电流承载能力,有效提升系统能效,满足国际能效标准如IEC 62304。
得益于超薄栅氧层和优化的栅极电荷(Qg)设计,这些MOSFET可在高频开关条件下稳定工作,支持高达100kHz以上的开关频率。这不仅减小了外部滤波元件体积,还提升了电源系统的动态响应速度,适用于LLC谐振变换器、DC-DC转换器等高端应用。
ON Semiconductor的Power MOSFET普遍集成体二极管、过温保护及雪崩耐受能力,增强了系统在瞬态过压或短路情况下的鲁棒性。此外,其产品通过了AEC-Q101车规级认证,适用于车载充电系统(OBC)、电机驱动等严苛环境。
在某主流电动车项目中,采用ON Semiconductor的50V/60A Power MOSFET构建双向充放电模块,实现98%以上的转换效率,并通过了严苛的EMI测试,验证了其在高密度集成系统中的卓越表现。
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