
在航空航天、核能设施以及深空探测等高辐射环境中,电子元器件必须具备极强的抗辐射能力。传统的MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)在高剂量辐射下容易出现阈值电压漂移、漏电流增加甚至失效,而 Rad Hard MOSFETs(抗辐射MOSFET)正是为解决这一问题而设计。
Rad Hard MOSFETs 通过多种技术手段实现抗辐射性能提升,包括:
Rad Hard MOSFETs 广泛应用于以下领域:
衡量Rad Hard MOSFET性能的关键参数包括:
国际标准如NASA、ESA和DOE均制定了严格的测试流程,例如在钴-60源或重离子束下进行辐照实验,以验证其可靠性。
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